HXY MOSFET IXFH34N65X3-HXY
Артикул: C51949356
Part Number: IXFH34N65X3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 2.410700 ₽
В наличии: 16 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.654200 ₽ |
| 10 шт. | 3.175300 ₽ |
| 30 шт. | 2.891200 ₽ |
| 90 шт. | 2.603900 ₽ |
| 450 шт. | 2.470800 ₽ |
| 900 шт. | 2.410700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 470W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 75mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 84nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.445nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 0.6pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 134pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
470W 650V 40A 4.5V 75mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-247 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)