HXY MOSFET SIR104LDP-T1-RE3-HXY
Артикул: C51949335
Part Number: SIR104LDP-T1-RE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.811700 ₽
В наличии: 56 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.366900 ₽ |
| 10 шт. | 1.151000 ₽ |
| 30 шт. | 1.032500 ₽ |
| 100 шт. | 0.897800 ₽ |
| 500 шт. | 0.839300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.811700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 85V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 107.8W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 3V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 4.3mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 61.3nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.645nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 41pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 673pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
107.8W 85V 100A 3V 4.3mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)