HXY MOSFET NVMFD5C674NLWFT1G-HXY
Артикул: C51949329
Part Number: NVMFD5C674NLWFT1G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 1.058300 ₽
В наличии: 64 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.662600 ₽ |
| 10 шт. | 1.427400 ₽ |
| 30 шт. | 1.298400 ₽ |
| 100 шт. | 1.151400 ₽ |
| 500 шт. | 1.086100 ₽ |
| 1000 шт. | 1.058300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 N-Channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 35A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 60W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 22nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 930pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 230pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
60W 60V 35A 1.6V 11mΩ@10V 2 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)