HXY MOSFET SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
Артикул: C51949327
Part Number: SQ7415CENW-T1_GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.306900 ₽
В наличии: 81 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.576300 ₽ |
| 10 шт. | 0.461100 ₽ |
| 30 шт. | 0.412400 ₽ |
| 100 шт. | 0.350700 ₽ |
| 500 шт. | 0.324700 ₽ |
| 1000 шт. | 0.306900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 20A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 25W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 55mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 6.1nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 585pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 85pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 100pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
25W 60V 20A 2.5V 55mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)