HXY MOSFET RS1G120MNTB-HXY
Артикул: C51949311
Part Number: RS1G120MNTB-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.191300 ₽
В наличии: 150 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.373100 ₽ |
| 50 шт. | 0.295600 ₽ |
| 150 шт. | 0.262300 ₽ |
| 500 шт. | 0.220900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.202400 ₽ |
| 5000 шт. | 0.191300 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 40V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 11mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.54nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 115pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 171pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
40V 40A 1.6V 11mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)