HXY MOSFET DI150N03PQ-HXY
Артикул: C51949301
Part Number: DI150N03PQ-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.209600 ₽
В наличии: 85 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.392900 ₽ |
| 50 шт. | 0.314700 ₽ |
| 150 шт. | 0.281200 ₽ |
| 500 шт. | 0.239400 ₽ |
| 2500 шт. | 0.220700 ₽ |
| 5000 шт. | 0.209600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 150A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 1.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 105nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.04nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 551pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 627pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
150W 30V 150A 2.5V 1.5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)