HXY MOSFET SIRA84BDP-T1-GE3-HXY
Артикул: C51949297
Part Number: SIRA84BDP-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.183400 ₽
В наличии: 445 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.357700 ₽ |
| 50 шт. | 0.283300 ₽ |
| 150 шт. | 0.251500 ₽ |
| 500 шт. | 0.211700 ₽ |
| 2500 шт. | 0.194000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.183400 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 115W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 2.6mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 24nC@15V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 2.218nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 340pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 480pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
115W 30V 120A 1.6V 2.6mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(5x6) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)