HXY MOSFET SISA88DN-T1-GE3-HXY
Артикул: C51949295
Part Number: SISA88DN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.199500 ₽
В наличии: 135 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.374000 ₽ |
| 50 шт. | 0.299600 ₽ |
| 150 шт. | 0.267700 ₽ |
| 500 шт. | 0.227900 ₽ |
| 2500 шт. | 0.210100 ₽ |
| 5000 шт. | 0.199500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 40A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 30W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 2.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 8nC@4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 814pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 41pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 498pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
30W 30V 40A 2.5V 5mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)