HXY MOSFET SQD40031EL_GE3-HXY
Артикул: C51949184
Part Number: SQD40031EL_GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.504900 ₽
В наличии: 95 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.899400 ₽ |
| 10 шт. | 0.738700 ₽ |
| 30 шт. | 0.657500 ₽ |
| 100 шт. | 0.578000 ₽ |
| 500 шт. | 0.529300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.504900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 120A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.7mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 130nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 540pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 820pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
100W 30V 120A 1.7V 3.7mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)