HXY MOSFET SI7111EDN-T1-GE3-HXY
Артикул: C51949182
Part Number: SI7111EDN-T1-GE3-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.285800 ₽
В наличии: 100 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.535700 ₽ |
| 10 шт. | 0.428600 ₽ |
| 30 шт. | 0.383200 ₽ |
| 100 шт. | 0.326300 ₽ |
| 500 шт. | 0.300400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.285800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 70A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 31.2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 45nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 4.32nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 487pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 529pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
31.2W 30V 70A 1.6V 6.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный DFN-8L(3x3) одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)