HXY MOSFET IPD90P03P4L04ATMA1-HXY
Артикул: C51949181
Part Number: IPD90P03P4L04ATMA1-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.767900 ₽
В наличии: 500 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.293800 ₽ |
| 10 шт. | 1.089300 ₽ |
| 30 шт. | 0.977300 ₽ |
| 100 шт. | 0.849100 ₽ |
| 500 шт. | 0.793900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.767900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 100A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 109W |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.6V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 3.5mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 30nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 6.8nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 726pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 769pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
109W 30V 100A 1.6V 3.5mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный TO-252-2L одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)