MDD(Microdiode Semiconductor) DTC114ECA
Артикул: C51913034
Part Number: DTC114ECA
Производитель: MDD(Microdiode Semiconductor)
от 0.008600 ₽
В наличии: 10800 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 50 шт. | 0.017800 ₽ |
| 500 шт. | 0.013800 ₽ |
| 3000 шт. | 0.011700 ₽ |
| 6000 шт. | 0.010400 ₽ |
| 24000 шт. | 0.009200 ₽ |
| 51000 шт. | 0.008600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1.2 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 300mV |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
50V 30 100mA 200mW 1 NPN (со встроенными резисторами смещения) NPN SOT-23 одиночные биполярные транзисторы со встроенными резисторами смещения