Infineon IGLT65R025D2
Артикул: C51892609
Part Number: IGLT65R025D2
Производитель: Infineon
от 9.152900 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 24.144700 ₽ |
| 200 шт. | 9.634200 ₽ |
| 500 шт. | 9.312300 ₽ |
| 1000 шт. | 9.152900 ₽ |
Характеристики
| Количество | - |
| Тип | - |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Технология | E-mode |
| Непрерывный ток стока (Id) | 67A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 219W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 25mΩ |
| Заряд затвора (Qg) | 11nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 780pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 1.8pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 130pF |
Описание
650V 67A 1.2V 219W 25mΩ HDSOP-16 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)