Обогащение режим мощность транзистор

Обогащение режим мощность транзистор

Артикул: C5188719 Part Number: EPC2052 Производитель: EPC
от 0.716700 ₽ Под заказ
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 1.953800 ₽
200 шт. 0.757400 ₽
500 шт. 0.730300 ₽
1000 шт. 0.716700 ₽

Datasheet

Характеристики

Количество 1 N-channel
Тип N-Channel
Напряжение сток–исток 100V
Технология E-mode
Непрерывный ток стока (Id) 8.2A
Рабочая температура -40℃~+150℃
Рассеиваемая мощность (Pd) -
Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) 1.4V
Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) 10mΩ
Заряд затвора (Qg) 3.5nC
Входная ёмкость (Ciss) 441pF
Проходная ёмкость (Crss при Vds) 3.2pF
Выходная ёмкость (Coss) 195pF

Описание

100V 8.2A 1.4V 10mΩ 1 N-канальный N-канальный BGA-9 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS