TECH PUBLIC TPNTJD4152PT2G
Артикул: C51886170
Part Number: TPNTJD4152PT2G
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.021500 ₽
В наличии: 8410 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.043000 ₽ |
| 100 шт. | 0.033700 ₽ |
| 300 шт. | 0.029100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.025600 ₽ |
| 6000 шт. | 0.022900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.021500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 20V |
| Непрерывный ток стока (Id) | 660mA |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 450mV |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 430mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 4.1nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 160pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 20pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±12V |
Описание
20V 660mA 450mV 150mW 430mΩ@4.5V 2 P-канальный P-канальный SOT-363 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)