Huixin H6B65M
Артикул: C51883381
Part Number: H6B65M
Производитель: Huixin
от 0.437600 ₽
В наличии: 1636 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.544100 ₽ |
| 10 шт. | 0.498200 ₽ |
| 30 шт. | 0.478600 ₽ |
| 100 шт. | 0.454000 ₽ |
| 500 шт. | 0.444200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.437600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 69W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 12A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.98V@6A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 10nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.3V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 243pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 36pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 22pF |
| Время задержки включения Td(on) | 6ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 39ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 90uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 130uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 91ns;122ns |
Описание
69W 12A 650V TO-252 одиночные IGBT-транзисторы