650V N-канальный обогащение режим MOSFET
Артикул: C5185713
Part Number: YFW13N65AF
Производитель: YFW
от 0.352600 ₽
В наличии: 47 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.677200 ₽ |
| 10 шт. | 0.550900 ₽ |
| 50 шт. | 0.472200 ₽ |
| 100 шт. | 0.409900 ₽ |
| 500 шт. | 0.372200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.352600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 N-channel |
| Тип | N-Channel |
| Напряжение сток–исток | 650V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 13A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 42W |
| Рабочая температура | - |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 4V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 520mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 50nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.7nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 170pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±30V |
Описание
42W 650V 13A 4V 520mΩ@10V 1 N-канальный N-канальный TO-220F одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS