AGMSEMI AGM30P55D1
Артикул: C5184855
Part Number: AGM30P55D1
Производитель: AGMSEMI
от 0.214800 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.356400 ₽ |
| 50 шт. | 0.298900 ₽ |
| 150 шт. | 0.274300 ₽ |
| 500 шт. | 0.243600 ₽ |
| 2500 шт. | 0.223000 ₽ |
| 5000 шт. | 0.214800 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 30V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 65A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 55W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.2V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 6.5mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 28nC |
| Входная ёмкость (Ciss) | 3.05nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 240pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 460pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
55W 30V 65A 1.2V 6.5mΩ@4.5V 1 P-канальный P-канальный TO-252 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET) RoHS