P-канальный обогащение режим MOSFET с встроенный Шоттки диод
Артикул: C5182097
Part Number: TPM2P106PS8
Производитель: TECH PUBLIC
от 0.574900 ₽
В наличии: 1213 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.847900 ₽ |
| 10 шт. | 0.771000 ₽ |
| 30 шт. | 0.728700 ₽ |
| 100 шт. | 0.682000 ₽ |
| 500 шт. | 0.585400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.574900 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | - |
| Непрерывный ток стока (Id) | 4.5A |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 2W |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.7V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 86mΩ@10V;98mΩ@4.5V |
| Заряд затвора (Qg) | 9.5nC@4.5V;19.4nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 1.03nF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 38.7pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 49.1pF |
| Напряжение затвор–исток (Vgs) | ±20V |
Описание
2W 60V 4.5A 1.7V 1 P-канальный P-канальный SOP-8 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)