Cmos CMD5B65D
Артикул: C51793161
Part Number: CMD5B65D
Производитель: Cmos
от 0.177000 ₽
В наличии: 200 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.389300 ₽ |
| 50 шт. | 0.320700 ₽ |
| 150 шт. | 0.291300 ₽ |
| 500 шт. | 0.254600 ₽ |
| 2500 шт. | 0.186800 ₽ |
| 5000 шт. | 0.177000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 65W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 10A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@5A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 12.5nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@500uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 260pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 40pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 6pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 84ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 195mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 84mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 195ns |
Описание
65W 10A 650V FS (ограничение поля) TO-252 одиночные IGBT-транзисторы