Транзистор предварительное смещение 50V SOT-363
Артикул: C516586
Part Number: DDA114EU-7-F
Производитель: DIODES
от 0.244100 ₽
В наличии: 49 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.466700 ₽ |
| 10 шт. | 0.371600 ₽ |
| 30 шт. | 0.331600 ₽ |
| 100 шт. | 0.279400 ₽ |
| 500 шт. | 0.258000 ₽ |
| 1000 шт. | 0.244100 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP Pre-Biased |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200mW |
| Тип | NPN+PNP |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 30 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | 5V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@10mA,300mV |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 1.9V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,500uA |
| Входной резистор | 10kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 200mW поверхностный монтаж SOT-363