Цифровой транзистор(встроенный резисторы)
Артикул: C5162511
Part Number: PDTC123JE
Производитель: Shanghai Prisemi Elec
от 0.014700 ₽
В наличии: 2840 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 20 шт. | 0.026800 ₽ |
| 200 шт. | 0.021900 ₽ |
| 600 шт. | 0.019100 ₽ |
| 3000 шт. | 0.016900 ₽ |
| 9000 шт. | 0.015500 ₽ |
| 21000 шт. | 0.014700 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 NPN (Pre-Biased) |
| Тип | NPN |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 150mW |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 80 |
| Рабочая температура | - |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 1.1V@5mA,0.3V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 500mV@100uA,5V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@5mA,0.25mA |
| Входной резистор | 2.86kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 26 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 100mA 150mW поверхностный монтаж SOT-523