Транзистор предварительное смещение 50V SOT-457
Артикул: C5157673
Part Number: IMH1AT110
Производитель: ROHM
от 0.033500 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 10 шт. | 0.035600 ₽ |
| 100 шт. | 0.034700 ₽ |
| 300 шт. | 0.034100 ₽ |
| 1000 шт. | 0.033500 ₽ |
Характеристики
| Количество | 2 NPN (Pre-Biased) |
| Напряжение коллектор–эмиттер VCEO | 50V |
| Ток коллектора (Ic) | 100mA |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300mW |
| Тип | NPN |
| Коэффициент усиления по постоянному току | 56 |
| Напряжение эмиттер–база VEBO | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Входное напряжение (VI(on) при Ic, Vce) | 3V@5mA,0.2V |
| Максимальное входное напряжение (VI(off)) | 3V |
| Выходное напряжение (VO(on)) | 300mV@10mA,0.5mA |
| Входной резистор | 22kΩ |
| Соотношение сопротивлений резисторов | 1 |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | - |
| Граничная частота коэффициента передачи тока (fT) | 250MHz |
| Ток отсечки коллектора | - |
Описание
Со встроенными резисторами смещения биполярный транзистор (BJT) 50V 100mA 300mW поверхностный монтаж SOT-457