HXY MOSFET LP2309LT1G-HXY
Артикул: C5148654
Part Number: LP2309LT1G-HXY
Производитель: HXY MOSFET
от 0.026600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 5 шт. | 0.055400 ₽ |
| 50 шт. | 0.045200 ₽ |
| 150 шт. | 0.040100 ₽ |
| 500 шт. | 0.036300 ₽ |
| 3000 шт. | 0.028100 ₽ |
| 6000 шт. | 0.026600 ₽ |
Характеристики
| Количество | 1 P-Channel |
| Тип | P-Channel |
| Напряжение сток–исток | 60V |
| Конфигурация | Standalone |
| Непрерывный ток стока (Id) | 2A |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1W |
| Пороговое напряжение затвор–исток (Vgs(th)) | 1.5V |
| Сопротивление сток–исток в открытом состоянии RDS(on) | 160mΩ@10V |
| Заряд затвора (Qg) | 5.4nC@10V |
| Входная ёмкость (Ciss) | 310pF |
| Проходная ёмкость (Crss при Vds) | 15pF |
| Выходная ёмкость (Coss) | 22pF |
Описание
60V 2A 1.5V 1W 160mΩ@10V 1 P-канальный P-канальный SOT-23 одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)