JIAENSEMI GN200HF120T3SS1
Артикул: C51484291
Part Number: GN200HF120T3SS1
Производитель: JIAENSEMI
от 60.858400 ₽
В наличии: 10 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 62.613000 ₽ |
| 24 шт. | 60.858400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | FS (Field Stop) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 1.071kW |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 200A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.9V@200A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | - |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@12.5mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 14.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 1.33nF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 740pF |
| Время задержки включения Td(on) | 126ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 527ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 5.6mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 21.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | - |
Описание
1.071kW 200A 1.2kV FS (ограничение поля) одиночные IGBT-транзисторы