JIAENSEMI JNG25T120HIRU2

JIAENSEMI JNG25T120HIRU2

Артикул: C51484284 Part Number: JNG25T120HIRU2 Производитель: JIAENSEMI
от 1.691300 ₽ В наличии: 31 шт.
0
Кол-во от Цена за шт.
1 шт. 2.412600 ₽
10 шт. 2.144600 ₽
30 шт. 1.975600 ₽
90 шт. 1.803400 ₽
450 шт. 1.725400 ₽
900 шт. 1.691300 ₽

Datasheet

Характеристики

Тип IGBT -
Рассеиваемая мощность (Pd) 277W
Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) 1.2kV
Ток коллектора (Ic) 50A
Ток отсечки коллектора (Ices) -
Рабочая температура -40℃~+175℃
Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) 2.3V@25A,15V
Заряд затвора (Qg) 90.4nC@600V
Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) 4.4V@1mA
Входная ёмкость (Cies) 2.251nF
Выходная ёмкость (Coes) 68pF
Проходная ёмкость (Cres) 13.7pF
Время задержки включения Td(on) 35ns
Время задержки выключения Td(off) 235ns
Энергия потерь при включении (Eon) 1.27mJ
Энергия потерь при выключении (Eoff) 1.64mJ
Время обратного восстановления (trr) 248ns

Описание

277W 50A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы