JIAENSEMI JNG15T120HIRU2
Артикул: C51484283
Part Number: JNG15T120HIRU2
Производитель: JIAENSEMI
от 1.234800 ₽
В наличии: 26 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.874900 ₽ |
| 10 шт. | 1.626300 ₽ |
| 30 шт. | 1.488200 ₽ |
| 90 шт. | 1.333900 ₽ |
| 450 шт. | 1.265600 ₽ |
| 900 шт. | 1.234800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 175W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.75V@15A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC@600V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.32nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 57pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 131ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 900uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 130ns |
Описание
175W 30A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы