JIAENSEMI JNG15N120AI
Артикул: C51484281
Part Number: JNG15N120AI
Производитель: JIAENSEMI
от 1.327400 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.003200 ₽ |
| 10 шт. | 1.740000 ₽ |
| 30 шт. | 1.595400 ₽ |
| 90 шт. | 1.433000 ₽ |
| 450 шт. | 1.359900 ₽ |
| 900 шт. | 1.327400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 175W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.7V@15A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 70nC@960V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 550pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 180pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 110pF |
| Время задержки включения Td(on) | 33ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 260ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 900uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 255ns |
Описание
175W 30A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) TO-3P одиночные IGBT-транзисторы