JIAENSEMI JNG40T65AI
Артикул: C51484280
Part Number: JNG40T65AI
Производитель: JIAENSEMI
от 1.629500 ₽
В наличии: 21 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.324900 ₽ |
| 10 шт. | 2.066600 ₽ |
| 30 шт. | 1.904100 ₽ |
| 90 шт. | 1.736800 ₽ |
| 450 шт. | 1.662000 ₽ |
| 900 шт. | 1.629500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 278W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 594nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.34nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 98pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11.8pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 86ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 500uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 148ns |
Описание
278W 80A 650V TO-3P одиночные IGBT-транзисторы