JIAENSEMI JNG75T120LZS1
Артикул: C51484276
Part Number: JNG75T120LZS1
Производитель: JIAENSEMI
от 4.947000 ₽
В наличии: 1 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 6.869000 ₽ |
| 10 шт. | 6.129800 ₽ |
| 25 шт. | 5.689500 ₽ |
| 100 шт. | 5.244300 ₽ |
| 400 шт. | 5.039600 ₽ |
| 800 шт. | 4.947000 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 694W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.2V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 427nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 9.101nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 318pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 83pF |
| Время задержки включения Td(on) | 165ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 875ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.1mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 900uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 476ns |
Описание
694W 150A 1.2kV TO264 одиночные IGBT-транзисторы