JIAENSEMI JNG50T120QMU2
Артикул: C51484275
Part Number: JNG50T120QMU2
Производитель: JIAENSEMI
от 2.349300 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 3.400400 ₽ |
| 10 шт. | 3.008900 ₽ |
| 30 шт. | 2.763500 ₽ |
| 90 шт. | 2.511700 ₽ |
| 510 шт. | 2.399600 ₽ |
| 1200 шт. | 2.349300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 833W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.55V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 291nC@960V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.93V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 8.408nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 197pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 55pF |
| Время задержки включения Td(on) | 44ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 190ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.57mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.73mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 94ns |
Описание
833W 100A 1.2kV TO-247-3LPlus одиночные IGBT-транзисторы