JIAENSEMI JNG50T120LIS2
Артикул: C51484274
Part Number: JNG50T120LIS2
Производитель: JIAENSEMI
от 3.504400 ₽
В наличии: 19 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 4.747200 ₽ |
| 10 шт. | 4.269600 ₽ |
| 25 шт. | 3.983600 ₽ |
| 100 шт. | 3.696100 ₽ |
| 400 шт. | 3.564500 ₽ |
| 800 шт. | 3.504400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 329W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 243nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 7.33nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 219pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 49pF |
| Время задержки включения Td(on) | 94ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 435ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 3.6mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 1.02us |
Описание
329W 100A 1.2kV TO264 одиночные IGBT-транзисторы