JIAENSEMI JNG40T120HJS1
Артикул: C51484272
Part Number: JNG40T120HJS1
Производитель: JIAENSEMI
от 1.814800 ₽
В наличии: 8 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.627100 ₽ |
| 10 шт. | 2.324900 ₽ |
| 30 шт. | 2.134800 ₽ |
| 90 шт. | 1.939900 ₽ |
| 510 шт. | 1.852100 ₽ |
| 1200 шт. | 1.814800 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 625W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 191nC@15V |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V@40A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.21nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 198pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 29pF |
| Время задержки включения Td(on) | 42ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 266ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 4mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1.8mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 175ns |
Описание
625W 80A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы