JIAENSEMI JNG30N120HS3
Артикул: C51484269
Part Number: JNG30N120HS3
Производитель: JIAENSEMI
от 1.881400 ₽
В наличии: 52 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.721300 ₽ |
| 10 шт. | 2.407700 ₽ |
| 30 шт. | 2.211200 ₽ |
| 90 шт. | 2.011300 ₽ |
| 510 шт. | 1.920400 ₽ |
| 1200 шт. | 1.881400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 200W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 165nC@960V |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.6V@30A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.6nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 270pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 170pF |
| Время задержки включения Td(on) | 25ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 300ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.62mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.33mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 210ns |
Описание
200W 50A 1.2kV NPT (не-пробойник Through) TO-247 одиночные IGBT-транзисторы