JIAENSEMI JNG25T120HJS1
Артикул: C51484268
Part Number: JNG25T120HJS1
Производитель: JIAENSEMI
от 1.125900 ₽
В наличии: 67 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.757900 ₽ |
| 10 шт. | 1.512600 ₽ |
| 30 шт. | 1.377700 ₽ |
| 90 шт. | 1.225000 ₽ |
| 510 шт. | 1.156800 ₽ |
| 1200 шт. | 1.125900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 428W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V |
| Заряд затвора (Qg) | 133nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.8V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.08nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 105pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 20pF |
| Время задержки включения Td(on) | 31ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 184ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 900uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 309ns |
Описание
428W 50A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы