JIAENSEMI JNG25T120HS
Артикул: C51484267
Part Number: JNG25T120HS
Производитель: JIAENSEMI
от 1.270500 ₽
В наличии: 55 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.917100 ₽ |
| 10 шт. | 1.665300 ₽ |
| 30 шт. | 1.527200 ₽ |
| 90 шт. | 1.371200 ₽ |
| 360 шт. | 1.301400 ₽ |
| 1080 шт. | 1.270500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 277W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 1.2kV |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+155℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@25A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 200nC@600V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 3.6nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 120pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 65pF |
| Время задержки включения Td(on) | 47ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 116ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 2.09mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 920uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 252ns |
Описание
277W 50A 1.2kV TO-247 одиночные IGBT-транзисторы