JIAENSEMI JNG75T65HMU2
Артикул: C51484262
Part Number: JNG75T65HMU2
Производитель: JIAENSEMI
от 1.606100 ₽
В наличии: 30 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.374700 ₽ |
| 10 шт. | 2.087900 ₽ |
| 30 шт. | 1.909300 ₽ |
| 90 шт. | 1.725700 ₽ |
| 360 шт. | 1.642100 ₽ |
| 1080 шт. | 1.606100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 395W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 150A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2V@75A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 320nC@520V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.3V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 5.66nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 260pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 154pF |
| Время задержки включения Td(on) | 32ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 187ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3.04mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2.33mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 73ns |
Описание
395W 150A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы