JIAENSEMI JNG60T65HS1
Артикул: C51484260
Part Number: JNG60T65HS1
Производитель: JIAENSEMI
от 1.691300 ₽
В наличии: 31 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.412600 ₽ |
| 10 шт. | 2.144600 ₽ |
| 30 шт. | 1.975600 ₽ |
| 90 шт. | 1.803400 ₽ |
| 360 шт. | 1.725400 ₽ |
| 1080 шт. | 1.691300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 312W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 120A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.7V@60A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 102nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.662nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 206pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 19pF |
| Время задержки включения Td(on) | 47ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 159ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 2mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 808ns |
Описание
312W 120A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы