JIAENSEMI JNG50T65HJU1
Артикул: C51484258
Part Number: JNG50T65HJU1
Производитель: JIAENSEMI
от 1.421600 ₽
В наличии: 21 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 2.159200 ₽ |
| 10 шт. | 1.871600 ₽ |
| 30 шт. | 1.714000 ₽ |
| 90 шт. | 1.536900 ₽ |
| 510 шт. | 1.457300 ₽ |
| 1200 шт. | 1.421600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 535W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 100A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.8V@50A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 158nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 4.82nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 170pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 37pF |
| Время задержки включения Td(on) | 52ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 193ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.7mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 1mJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 82ns |
Описание
535W 100A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы