JIAENSEMI JNG40T65HMU1
Артикул: C51484257
Part Number: JNG40T65HMU1
Производитель: JIAENSEMI
от 1.047900 ₽
В наличии: 7 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.588900 ₽ |
| 10 шт. | 1.379400 ₽ |
| 30 шт. | 1.264000 ₽ |
| 90 шт. | 1.132400 ₽ |
| 510 шт. | 1.073900 ₽ |
| 1200 шт. | 1.047900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 227W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.95V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 146nC@520V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.3V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.54nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 126pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 67pF |
| Время задержки включения Td(on) | 20ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 104ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 950uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 930uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 55ns |
Описание
227W 80A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы