JIAENSEMI JNG40T65HJU1
Артикул: C51484256
Part Number: JNG40T65HJU1
Производитель: JIAENSEMI
от 1.191500 ₽
В наличии: 88 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.797800 ₽ |
| 10 шт. | 1.561800 ₽ |
| 30 шт. | 1.432400 ₽ |
| 90 шт. | 1.286500 ₽ |
| 510 шт. | 1.221000 ₽ |
| 1200 шт. | 1.191500 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 300W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 80A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V@40A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 78nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 2.48nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 95pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 21pF |
| Время задержки включения Td(on) | 32ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 110ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.2mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 130ns |
Описание
300W 80A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы