JIAENSEMI JNG30T65FJS1
Артикул: C51484254
Part Number: JNG30T65FJS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.763600 ₽
В наличии: 31 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.210400 ₽ |
| 10 шт. | 1.028400 ₽ |
| 50 шт. | 0.935800 ₽ |
| 100 шт. | 0.846500 ₽ |
| 500 шт. | 0.791200 ₽ |
| 1000 шт. | 0.763600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 50W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 60A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.7V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 103nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.2V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.978nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 100pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 23pF |
| Время задержки включения Td(on) | 30ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 151ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 950uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 600uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 105ns |
Описание
50W 60A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы