JIAENSEMI JNG30T65HS1
Артикул: C51484253
Part Number: JNG30T65HS1
Производитель: JIAENSEMI
от 1.067400 ₽
В наличии: 99 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.562900 ₽ |
| 10 шт. | 1.369600 ₽ |
| 30 шт. | 1.264000 ₽ |
| 90 шт. | 1.143800 ₽ |
| 510 шт. | 1.090200 ₽ |
| 1200 шт. | 1.067400 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 297W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 60A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@30A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 594nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.34nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 98pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 11.8pF |
| Время задержки включения Td(on) | 19ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 86ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 1.3mJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 500uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 148ns |
Описание
297W 60A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы