JIAENSEMI JNG25T65KS1
Артикул: C51484251
Part Number: JNG25T65KS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.810700 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.241300 ₽ |
| 10 шт. | 1.065800 ₽ |
| 30 шт. | 0.978100 ₽ |
| 100 шт. | 0.890300 ₽ |
| 500 шт. | 0.838400 ₽ |
| 800 шт. | 0.810700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 138.9W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 50A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.7V@25A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 31.2nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 978pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 90pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 8pF |
| Время задержки включения Td(on) | 22ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 75ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 660uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 490uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 60ns |
Описание
138.9W 50A 650V TO-263 одиночные IGBT-транзисторы