JIAENSEMI JNG20T65PS1
Артикул: C51484249
Part Number: JNG20T65PS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.584900 ₽
В наличии: 35 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.893600 ₽ |
| 10 шт. | 0.768500 ₽ |
| 50 шт. | 0.705100 ₽ |
| 100 шт. | 0.641800 ₽ |
| 500 шт. | 0.604400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.584900 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 125W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@20A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 271nC |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 831pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7.5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 71ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 460uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 410uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 110ns |
Описание
125W 40A 650V TO-220 одиночные IGBT-транзисторы