JIAENSEMI JNG20T65HS1
Артикул: C51484248
Part Number: JNG20T65HS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.739600 ₽
Под заказ
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 1.167700 ₽ |
| 10 шт. | 0.992600 ₽ |
| 30 шт. | 0.905000 ₽ |
| 90 шт. | 0.819000 ₽ |
| 360 шт. | 0.767100 ₽ |
| 1080 шт. | 0.739600 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 156W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@20A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 271nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.1V@0.25mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 831pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 50pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7.5pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 71ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 460uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 410uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 110ns |
Описание
156W 40A 650V TO-247 одиночные IGBT-транзисторы