JIAENSEMI JNG20T65FJS1
Артикул: C51484247
Part Number: JNG20T65FJS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.363300 ₽
В наличии: 22 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.672500 ₽ |
| 10 шт. | 0.545700 ₽ |
| 50 шт. | 0.482300 ₽ |
| 100 шт. | 0.419000 ₽ |
| 500 шт. | 0.381900 ₽ |
| 1000 шт. | 0.363300 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 53W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 40A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V@20A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 21nC@15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.2V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.7nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 72pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 13pF |
| Время задержки включения Td(on) | 21ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 120ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 370uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 460uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 62ns |
Описание
53W 40A 650V TO-220F одиночные IGBT-транзисторы