JIAENSEMI JNG15T65KS1
Артикул: C51484242
Part Number: JNG15T65KS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.320100 ₽
В наличии: 604 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.593300 ₽ |
| 10 шт. | 0.481800 ₽ |
| 30 шт. | 0.425200 ₽ |
| 100 шт. | 0.370200 ₽ |
| 500 шт. | 0.336300 ₽ |
| 800 шт. | 0.320100 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 100W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@15A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 40.7nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 629pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 45pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7pF |
| Время задержки включения Td(on) | 16ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 94ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 310uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 320uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 120ns |
Описание
100W 30A 650V TO-263 одиночные IGBT-транзисторы