JIAENSEMI JNG15T65FS1
Артикул: C51484241
Part Number: JNG15T65FS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.451700 ₽
В наличии: 21 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.708400 ₽ |
| 10 шт. | 0.602800 ₽ |
| 50 шт. | 0.550800 ₽ |
| 100 шт. | 0.498800 ₽ |
| 500 шт. | 0.466300 ₽ |
| 1000 шт. | 0.451700 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 28W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Рабочая температура | -55℃~+150℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 2.5V@15A,15V |
| Заряд затвора (Qg) | 40.7nC@480V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 4.5V@250uA |
| Входная ёмкость (Cies) | 629pF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 45pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 7pF |
| Время задержки включения Td(on) | 16ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 94ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 310uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 320uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 120ns |
Описание
28W 30A 650V TO-220F одиночные IGBT-транзисторы