JIAENSEMI JNG15T65FJS1
Артикул: C51484240
Part Number: JNG15T65FJS1
Производитель: JIAENSEMI
от 0.445200 ₽
В наличии: 16 шт.
0
| Кол-во от | Цена за шт. |
|---|---|
| 1 шт. | 0.703500 ₽ |
| 10 шт. | 0.597900 ₽ |
| 50 шт. | 0.545900 ₽ |
| 100 шт. | 0.492300 ₽ |
| 500 шт. | 0.461400 ₽ |
| 1000 шт. | 0.445200 ₽ |
Характеристики
| Тип IGBT | - |
| Рассеиваемая мощность (Pd) | 39W |
| Напряжение пробоя коллектор–эмиттер (Vces) | 650V |
| Ток коллектора (Ic) | 30A |
| Ток отсечки коллектора (Ices) | - |
| Заряд затвора (Qg) | 55nC@15V |
| Рабочая температура | -40℃~+175℃ |
| Напряжение насыщения коллектор–эмиттер (VCE(sat)) | 1.6V@15A,15V |
| Пороговое напряжение затвор–эмиттер (Vge(th) при Ic) | 5.4V@1mA |
| Входная ёмкость (Cies) | 1.055nF |
| Выходная ёмкость (Coes) | 57pF |
| Проходная ёмкость (Cres) | 15pF |
| Время задержки включения Td(on) | 17ns |
| Время задержки выключения Td(off) | 104ns |
| Энергия потерь при включении (Eon) | 300uJ |
| Энергия потерь при выключении (Eoff) | 270uJ |
| Время обратного восстановления (trr) | 55ns |
Описание
39W 30A 650V TO-220F одиночные IGBT-транзисторы